“在半導體制造領域，微米級的內部缺陷足以讓整批晶圓報廢。"一位工藝工程師望著檢測報告上的異常信號點說道。
隨著半導體工藝節(jié)點不斷向5納米、3納米甚至更小尺寸邁進，芯片內部結構的復雜度和集成度呈指數級增長，傳統可見光檢測手段已無法滿足對硅片內部缺陷的探測需求。
半導體制造正面臨著未有的檢測挑戰(zhàn)。當芯片結構從二維平面走向三維堆疊，當硅片厚度不斷減薄以提高性能，內部缺陷的檢測成為影響良率和可靠性的關鍵瓶頸。
微裂紋、空洞、摻雜不均勻、晶體缺陷……這些隱藏在硅晶體內部的瑕疵，如同精密機械中的暗傷，常規(guī)光學檢測手段對此無能為力。
近紅外光的獨特優(yōu)勢正在此時凸顯——硅材料在近紅外波段（特別是1100nm以上）具有較高的透過率，這使得光線能夠穿透硅晶片，直接探測內部結構。
NPI光源PIS-UHX-AIR應運而生，這款專為半導體內部缺陷檢測設計的高功率近紅外光源，采用150W高功率鹵素燈設計，提供了遠超常規(guī)光源的穿透能力和信噪比。
與普通光源不同，PIS-UHX-AIR實現了850-1650nm多波長精確控制，用戶可根據不同硅片厚度和檢測需求，選擇最合適的波長進行探測。
特別在1100nm附近的關鍵波段，光源輸出經過專門優(yōu)化，確保了對硅材料的穿透效果。可調電壓設計（2-15V） 則允許工程師根據實際檢測需求，精確控制光強和穿透深度。
在半導體檢測產線上，穩(wěn)定性和一致性是衡量設備價值的核心標準。PIS-UHX-AIR光源通過多重設計確保滿足嚴苛的工業(yè)要求。
集成強度反饋系統實時監(jiān)測并調整輸出光強，確保長時間連續(xù)工作下的穩(wěn)定性。脈沖照明功能則支持與檢測設備的高速同步，實現運動狀態(tài)下的清晰成像。
面對高功率光源必然產生的熱管理挑戰(zhàn)，強制風扇冷卻系統確保了設備在長時間高強度工作條件下保持穩(wěn)定的光學性能。通用電壓設計（AC 100-240V）則簡化了跨國產線的設備部署。
在一家的晶圓代工廠的檢測線上，PIS-UHX-AIR光源正發(fā)揮著關鍵作用。技術人員將其集成到自動光學檢測系統中，專門用于FinFET結構的3D芯片內部缺陷探測。
通過精確選擇1300nm和1450nm的工作波長，檢測系統成功識別出了多批晶圓中的微米級內部空洞，這些缺陷在使用傳統檢測手段時全被遺漏。檢測時間相比之前的方案縮短了約40%，同時將缺陷漏檢率降低了70%以上。
在封裝領域，這款光源同樣表現出色，能夠清晰成像硅通孔內的填充缺陷和界面分層問題，為異構集成提供了可靠的質量保障。
當硅片在檢測臺上緩緩移動，近紅外光穿透晶體，內部結構的每一處細節(jié)都在成像系統中清晰呈現。 那些曾隱藏在視線之外的微裂紋、空洞和界面缺陷，如今無處遁形。
半導體制造正在進入一個“全透視"檢測時代，不再滿足于表面，而是追求從內到外的可靠。在這條追的道路上，每一束能夠穿透硅晶的光，都承載著讓芯片更小、更快、更可靠的承諾。
